Тайминги ddr3 1333 kingston

Рассмотрим скоростные характеристики предполагаемых спецификаций модулей памяти DDR3, которые представлены в таблице 1.

Табл. 1. Скоростные характеристики модулей памяти DDR3

Тип модулей

Рейтинг

Частота шины, МГц

Типичная схема таймингов

Теоретическая пропускная способность, ГБ/с

Одно-канальный режим

Двух-канальный режим

Предположительно, модули памяти DDR3 будут предлагаться в вариантах от DDR3-800 до DDR3-1600 включительно, далее не исключено появление и более высокоскоростных модулей категории DDR3-1866. Рейтинг производительности модулей памяти DDR3 имеет значение вида «PC3-X», где X означает пропускную способность модуля в одноканальном режиме, выраженную в МБ/с (если быть точным — млн. байт/с). Поскольку модули памяти DDR3 имеют ту же разрядность, что и модули памяти DDR2 — 64 бита, численные значения рейтингов равночастотных модулей памяти DDR2 и DDR3 совпадают (например, PC2-6400 для DDR2-800 и PC3-6400 для DDR3-800).

Типичные схемы таймингов, предполагаемые в настоящее время для модулей памяти DDR3, выглядят весьма «внушительно» (например, 9-9-9 для DDR3-1600), однако не стоит забывать, что столь большие относительные значения таймингов, будучи переведенными в абсолютные значения (в наносекундах), учитывая все меньшее время цикла (обратно пропорциональное частоте шины памяти), становятся вполне приемлемыми. Так, например, задержка сигнала CAS# (t CL ) для модулей памяти DDR3-800 со схемой таймингов 6-6-6 составляет 15 нс, что, конечно, несколько великовато по сравнению с «типичными» DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5, для которых t CL составляет 12.5 нс. В то же время, память типа DDR3-1600 со схемой таймингов 9-9-9 уже характеризуются величиной задержки t CL всего 11.25 нс, что находится на уровне DDR2-533 с достаточно низкими задержками (схемой таймингов 3-3-3). Таким образом, даже при предполагаемом на данный момент «раскладе» схем таймингов модулей памяти DDR3 можно ожидать постепенное снижение реально наблюдаемых задержек при доступе в память, вплоть до значений, типичных для нынешнего поколения модулей памяти DDR2. К тому же, не стоит забывать и о дальнейшем снижении задержек (и снижении таймингов) по мере развития технологии.

Для того чтобы начать изучение вопросов, посвящённых таймингам, следует узнать, как же, собственно, работает оперативная память. Структура памяти напоминает таблицу, где сначала выбирают строку, а затем столбец; и что таблица эта разбита на банки, для памяти плотностью меньше 64Мбит (SDRAM) количеством 2 штуки, выше – 4 (стандартно). Спецификация память DDR2 SDRAM с чипами плотностью 1Гбит предусматривает уже 8 банков.

Также стоит упомянуть, что на открытие строки в используемом банке уходит больше времени, нежели в другом (т.к. используемую строку нужно сначала закрыть). Очевидно, что лучше новую строку открывать в новом банке (на этом основан принцип чередования строк).

Обычно на памяти (или в спецификации к ней) есть надпись вида 3-4-4-8 или 5-5-5-15. Это сокращённая запись (так называемая схема таймингов) основных таймингов памяти. Что же такое тайминги? Очевидно, что ни одно устройство не может работать с бесконечной скоростью. Значит, на выполнение любой операции уходит какое-либо время. Тайминги это задержка, устанавливающая время, необходимое на выполнение какой-либо команды, то есть время от отправки команды до её выполнения. А каждая цифра обозначает, какое именно время необходимо.

Теперь разберём каждый по очереди. Схема таймингов включает в себя задержки CL-Trcd-Trp-Tras соответственно.

Для работы с памятью необходимо для начала выбрать чип, с которым мы будем работать. Делается это командой CS# (Chip Select). Затем выбирается банк и строка. Перед началом работы с любой строкой необходимо её активировать. Делается это командой выбора строки RAS# (при выборе строки она активируется). Затем (при операции линейного чтения) нужно выбрать столбец командой CAS# (эта же команда инициирует чтение). Затем считать данные и закрыть строку, совершив предварительный заряд (precharge) банка.
Тайминги расположены по порядку следования в простейшем запросе (для простоты понимания). Сначала идут тайминги, затем подтайминги.

CL, Cas Latency – минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

Trcd, RAS to CAS delay – время, необходимое для активизации строки банка, или минимальное время между подачей сигнала на выбор строки (RAS#) и сигнала на выбор столбца (CAS#).

Trp, Row Precharge – время, необходимое для предварительного заряда банка (precharge). Иными словами, минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка.

Tras, Active to Precharge – минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (её открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени.

CR, Command Rate 1/2T – Время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. Иначе, минимальное время между подачей двух команд. При значении 1T команда распознаётся 1 такт, при 2T – 2 такта, 3T – 3 такта (пока только на RD600).

Это всё основные тайминги. Остальные тайминги имеют меньшее влияние на производительность, а потому их называют подтаймингами.

Вообще-то эта заметка должна была быть короткой, но, поскольку тесты заняли у меня определенное время, пусть будет немного больше.

Все началось с перехода на матплату с ДДР3. Уже и не помню сколько лет назад это было. Тогда с материнкой я сразу взял две планки Patriot по 2 Гб с частотой 1600 МГц в "Хлама.нет" (кстати, они вообще не разгонялись – выше 1600 брать никак не получалось).

В сумме получилось 4 Гб. В те времена это было "много". Затем постепенно поменял три материнки и в продаже начали появляться 4-гиговые планки. И я захотел "апгрейднуться". Так уж получилось, что в тот момент, когда я брал пару 4-гиговых планок, оптимальных цен на 1600-частотные не было и взял в "Мониторе" обычные Patriot на 1333 МГц (стало 8 Гб). Через месяц, эксперимента ради взял еще такую же пару планок (стало 16 Гб). Благо материнка поддерживает до 32 Гб. Эти планки на 1333 стабильно разгонялись без повышения таймингов, без повышения напряжения до 1600 МГц. Но никак не выше.

Читайте также:  Микросхема 34063api ncckxns назначение применение параметры выводы

И в субботу купил две планки DDR3 по 4 Гб фирмы Hynix (Hyundai Electronics). Они оказались с партийным номером HMT351U6CFR8C-H9, который был отмечен на форумах overclockers.ru

Эта партия знаменита тем, что в большинстве случаев способна разгоняться с "родных" 1333 МГц до стабильных 2133 МГц.

К моей радости именно эта партия оказалась у нас в свободной продаже в одном из магазинов Якутска.

Планка выпускается без радиаторов, но, что интересно отметить, она вообще не греется (в том числе и при 100% нагрузке тестами) ни при номинальной частоте в 1333 МГц (1,50 В), ни при 2133 МГц (1,59 В). Выходит, в данном случае радиаторы тут и не нужны.

Например, вот что написал про эту память овер с форума оверклокерс:

Hynix Original DDR3 PC3-10600

Номинал: (1333 MHz) 9-9-9-27 1.50v

Разгон: (1866 Mhz) 9-10-9-30 1.55v

Разгон: (2133 Mhz) 10-12-11-30 1.57v

Разгон MAX: при поднятии vccio до 1.120v берет (2271mhz) 11-12-11-30 1.59v

Поместил я две планки Hynix в двухканальном режиме. И сразу же перед первым запуском сделал очистку CMOS. Зашел в виндоус – посмотрел в CPU-Z – память определилась правильно.

Затем перезагрузил и выставил частоту памяти 2133 МГц при вольтаже 1,59 В (на форуме писали, что данной напруги с избытком хватит в большинстве случаев) и "щадящих" таймингах 11-12-11-30-2Т (опять же в большинстве случаев данные тайминги выставил с "запасом"). Кстати, должен сразу написать, что "работать" буду только над 4-мя основными таймингами, которые наиболее сильно влияют на производительность памяти.

Все запустилось – в виндоус зашел. Поскольку из свежих стресс-тест-программ, использующих оперативную память у меня был только LinX, то на первое время решил применить в тестах только его. Однако, общеизвестно, что ни одна программа не может ОДНОЗНАЧНО и быстро выявить ошибки работы памяти. Обязательно нужно тестировать в течение долгого времени на различных типах стресс-программ, хорошо использующих оперативу при своей работе. К примеру, в ветке "Методика тестирования памяти" на оверклокерс.ру рекомендуют – [далее – список программ]

В тесте LinX использовал 6500 Мб памяти из установленных 8 Гб.

Продолжительность – 10 проходов.

Контроль всех напряжений, всех видов частот, таймингов памяти и температур – CPU-Zх64 1.59, ASRock eXtreme Tuner 0.1.54, Core Temp 0.99.8.

11-12-11-30-2Т – прошел все проходы стабильно.

Затем резко уменьшил все тайминги на единицу.

10-11-10-29-2Т – проход №7 линпак не прошел.

10-11-10-30-2Т – все 10 проходов линпак прошел.

9-11-10-30-2Т – не заходит.

10-10-10-30-2Т – не заходит.

10-11-9-30-2Т – при заходе идет БСОД.

10-11-10-30-1Т – проход №4 линпак не прошел.

Т.о. я выяснил, что в случае стресс-нагрузки линпаком минимальными таймингами при частоте 2133 МГц, обеспечивающими стабильность, являются следущие цифры: 10-11-10-30-2Т.

В воскресенье сходил в магазин и купил второй набор тех же планок: 2 шт. х 4 Гб.

HMT351U6CFR8C-H9 – та же партия, что в верхнем наборе, различаются только неделей выпуска.

Тестирую второй комплект.

По номиналу: 1333 МГц, 9-9-9-25, 1,50 В.

Напряжение для разгона по таймингам увеличил до 1,59 В.

Частота – 2133 МГц.

11-12-11-30-2Т – в виндоус заходит, не тестировал

10-11-10-30-2Т – не заходит

11-11-10-30-2Т – не заходит

11-11-11-30-2Т – не заходит

11-12-11-30-2Т – прошел все проходы стабильно.

Теперь протестирую все четыре планки: "комплект_1" + "комплект_2"

По номиналу: 9-9-9-25, 1,50 В – все стабильно. Все заходит и работает, впрочем, так и должно быть – поскольку разгона нет.

Также сделал clear_cmos после установки всех 4 плвнок на материнку.

Напряжение для разгона по таймингам снова увеличил до 1,59 В.

Частота – 2133 МГц. Тайминги – 11-12-11-30-2Т. Не заходит.

Частота – 2133 МГц. Тайминги – 12-13-12-35-2Т. Не заходит.

Разгон по частоте убрал до родных 1333 МГц.

1333 МГц, 11-12-11-30-2Т. Все равно не заходит.

1333 МГц, 10-11-10-30-2Т. Заходит в виндоус.

1600 МГц, 10-11-10-30-2Т. Заходит в виндоус.

1866 МГц, 10-11-10-30-2Т. Заходит в виндоус.

Попытка увеличить первый тайминг на единицу приводит к полному стопору. Комп уходит в "несознанку".

Такая же фигня при изменении второго и третьего таймингов. Т.е. их увеличить нельзя. Уменьшить тоже нельзя. Увеличение напряжения на память до 1,7 не помогает никак. Четвертый тайминг не трогал вообще – пусть таким и остается.

Таким образом разгон для четырех планок пришел лишь к одному концу:

1866 МГц, 10-11-10-30-2Т. Напряжение уменьшил с 1,59 до 1,56 В. Попробую тестить на этом напряжении. Вроде пока все нормально.

Конфигурация тестового компьютера:

= процессор Intel Core i5 2500K, 4600 MHz, 1,350 В;

= кулер ThermalRight Silver Arrow, TR TY-140 х 2 шт. x 1300 rpm;

= матплата ASRock P67 Extreme6 P67 (bios P1.60);

= память DDR3, 2 x 4 Gb 1333 МГц, Hynix HMT351U6CFR8C-H9, 1,50 В, 9-9-9-25;

= хард 500Gb, WD5000AAKS (SATA2, 7200 rpm, 16 Mb);

= корпус Lian Li PC-A70FB, и 4 штуки родных встроенных вентилятора + открытая боковая стенка;

= реобас Zalman ZM-MFC1 Plus;

= БП AeroCool Strike-X 1100 (1100 W, 80+ Gold);

= видео Inno 3D Geforce GTX570 (732/1464/3800, 1,000 V) – референсная СО заменена на DeepCool V6000;

= монитор 24" Acer P246H 1920*1080.

2133/1333 = 1,6 – прирост 60% по частоте.

1866/1333 = 1,4 – прирост 40% по частоте.

Разгон с 1333 МГц до 2133 технически и практически оправдан, несмотря на некоторое увеличение таймингов. Причины:

– увеличение частоты на 40%-60% влияет на прирост производительности памяти сильнее, нежели увеличение таймингов;

– увеличение напряжения с "родных" 1,50 до 1,55-1,59 В не приводит к нагреву микросхем памяти (даже при долговременных нагрузках);

– стоимость стандартной памяти ДДР3 в планках 4 Гб от Hynix крайне низкая (700 р.). Особенно это заметно при сравнении с фирменными разогнанными планками памяти, которые имеют повышенное напряжение (до 1,65 В и выше) и цены как минимум в раза выше (особенно планки с частотами 1866-2133 МГц). Хотя им в оправдание можно записать:

а) хорошо пригнанный радиатор, который и красив, и обеспечивает должный теплоотвод;

б) отбор планок на фабриках – т.е. теоретически у них выше вероятность более высокого разгона.

Читайте также:  Dust absorber для чего в защитной пленке

Слухи о том, что заведомо разгонябельные планки при установке их в четыре штуки теряют свой частотный потенциал – подтвердились. Это на самом деле так.

III. Конечно, прирост по частоте на 60% – это очень хороший результат.

Но так ли он хорош "в жизни", так сказать.

В синтетике прирост однозначно будет, а в практических приложениях, думается, будет, но не 60%, конечно.

В общем, посмотрим. Отпишусь после тестов.

Теперь следует вопрос – "Что я буду делать с планками?"

1. В дальнейшем планирую оставить лишь первый набор "2 шт. х 4 Гб", с таймингами 10-11-10-30-2Т на 2133 МГц (как более удачный вариант разгона).

2. А эти планки выставлю на продажу на доске:

= 2 шт. х 4 Гб с таймингами 11-12-11-30-2Т при 2133 МГц (Hynix).

= 4 шт. х 4 Гб с таймингами 9-9-9-28 с "родными" 1600 МГц (Kingston).

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

реклама

Оптимальные тайминги: X-(X-2)-(X-3).

Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на двойку и RAS Precharge (tRP) на тройку относительно CAS Latency (tCL).

Реакция на изменение напряжения: слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.85 В и не зависит от установленных таймингов.

реклама

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги:

  • X-(X+2)-(X+2) на высоких частотах (1866-2400 МГц);
  • X-(X+1)-(X+1) на низких частотах (1333-1600 МГц).

Реакция на изменение напряжения:

  • С ровными таймингами: отсутствует;
  • С оптимальными таймингами:
  • От 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
  • От 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (10-20 МГц);
  • От 1.75 B до 1.80 B: небольшое снижение частоты (10-20 МГц).

Минимальные тайминги для стандартных частот:

  • Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 6-7-7-15 1T;
  • Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 7-8-8-15 1T;
  • Для частоты 1866 МГц с напряжением 1.50 В: 8-10-10-15 1T;
  • Для частоты 2133 МГц с напряжением 1.50 В: 9-11-11-15 1T.

Десятиминутная проверка в LinX:

Разгон на максимальную частоту памяти в CPUZ – 2600 МГц с таймингами 11-12-12-28 1T и напряжением 1.75 В:

И в завершение еще один тест – возможность совместной работы шести модулей на микросхемах трех разных типов (Samsung M378B1G73BH0-CH9, Patriot_PSD38G13332, GeIL GB316GB1600C10DC) общим объемом 48 Гбайт в трехканальном режиме на материнской плате ASUS Rampage III Black Edition на частоте 1465 МГц (тайминги не оптимизировалась).

реклама

Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт

Чтобы облегчить поиск и выбор оперативной памяти для разгона, основанной на «правильных» микросхемах, силами участников оверклокерских форумов формируются списки, по которым можно определить, какие микросхемы памяти используются для производства тех или иных модулей и комплектов оперативной памяти. Есть даже отдельный сайт, целиком посвященный этой теме – RAM List.

Но на таких ресурсах сейчас в основном собирается информация по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 1 Гбит (наиболее часто используемой оверклокерами из-за лучшего соотношения частот и таймингов) и по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 2 Гбит (наиболее высокий разгон по частоте, пусть и с большими таймингами). А по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 4 Гбит почти ничего нет, как из-за относительной новизны такой памяти, так и благодаря её меньшей распространенности (особенно среди оверклокеров).

По этой причине был собран свой собственный небольшой список, источником информации для которого послужили QVL-списки производителей материнских плат, сайты интернет-магазинов с фотографиями модулей памяти и другие.

реклама

Производитель
модуля
Маркировка
модуля
Тип памяти Объём, Мбайт Производитель
микросхем
Маркировка
микросхем
A-DATA AD3U1333W8G9-2 DDR3-1333 2×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
A-DATA AXDU1333GW8G9-2G DDR3-1333 2×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
A-DATA EL64C1D1624Z1 DDR3-1600 8192 Elpida J4208BBBG-GN-F
A-DATA SU3U1333W8G9 DDR3-1333 8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
AMD Memory (Patriot) AE38G1601U2 DDR3-1600 2×8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Corsair Dominator CMP32GX3M4X1600C10 DDR3-1600 4×8192 Elpida
Corsair Dominator GT CMT32GX3M4X1866C9 DDR3-1866 4×8192 Micron
Corsair Vengeance CMZ8GX3M1A1600C10 DDR3-1600 8192 Elpida
Corsair Vengeance CMZ16GX3M2A1600C10 DDR3-1600 2×8192 Elpida
Corsair Vengeance CMZ32GX3M4X1600C10 DDR3-1600 4×8192 Elpida
Corsair Vengeance CMZ16GX3M2A1866C10 DDR3-1866 2×8192 Micron
Corsair Vengeance CMZ32GX3M4X1866C10 DDR3-1866 4×8192 Micron
Corsair XMS3 CMX8GX3M1A1333C9 DDR3-1333 8192 Elpida
Corsair XMS3 CMX16GX3M2A1600C11 DDR3-1600 2×8192 Elpida
Corsair XMS3 CMX32GX3M4A1600C11 DDR3-1600 4×8192 Elpida
Crucial CT102464BA1339 DDR3-1333 8192 Micron D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
Crucial CT2KIT102464BA1339 DDR3-1333 2×8192 Micron D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
Crucial CT3KIT102464BA1339 DDR3-1333 3×8192 Micron D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
GeIL GB316GB1600C10DC DDR3-1600 2×8192 Elpida Elpida B-Die (remarked)
G.Skill F3-1866C10D-16GAB DDR3-1866 2×8192 Micron D9NZZ (MT41K512M8RA-15E: D)
G.Skill F3-2133C9Q-32GXH DDR3-2133 4×8192 Samsung
Hynix HMT41GU6MFR8C-H9 DDR3-1333 8192 Hynix H5TQ4G83MFR-H9C
Hynix HMT41GU6MFR8C-PB DDR3-1600 8192 Hynix H5TQ4G83MFR-PBC
Kingston KVR1333D3N9/8G DDR3-1333 8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
J4208EASE-DJ-F
Mushkin Model 992017 DDR3-1333 8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
Mushkin Model 997017 DDR3-1333 2×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
Mushkin Model 999017 DDR3-1333 3×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
Mushkin Model 994017 DDR3-1333 4×8192 Elpida J4208BASE-DJ-F
NCP NCPH10AUDR-13M28 DDR3-1333 8192 Elpida Elpida B-Die (remarked)
Patriot PGD332G1333ELQK DDR3-1333 8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Patriot PSD38G13332 DDR3-1333 4×8192 Micron D9PCH (MT41J512M8RA-15E:D)
Samsung M378B1G73AH0-CH9 DDR3-1333 8192 Samsung SEC K4B4G0846A-HCH9
Samsung M378B1G73BH0-CH9 DDR3-1333 8192 Samsung SEC K4B4G0846B-HCH9
SanMax SMD-16G28NP-16K-D-BK DDR3-1600 2×8192 Elpida J4208BBBG-GN-F
SanMax SMD-32G28NP-16K-Q-BK DDR3-1600 4×8192 Elpida J4208BBBG-GN-F
SanMax SMD-16G28CP-16K-D-BK DDR3-1600 2×8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
SanMax SMD-32G28CP-16K-Q-BK DDR3-1600 4×8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)
Silicon Power SP008GBLTU133N02 DDR3-1333 8192 Elpida Elpida B-Die (remarked)
Transcend TS1GLK64V3H DDR3-1333 8192 Micron D9PBC (MT41J512M8RA-125:D)

Заключение

В целом модули памяти объемом 8 Гбайт во многом схожи со своими предшественниками на 4 Гбайта. Они по-прежнему требуют использования высоких таймингов для разгона, способны работать на пониженном напряжении (1.35 В), и масштабируются по частоте примерно до 1.65 В. Нагрев микросхем памяти плотностью 4 Гбит незначителен даже при разгоне, так что в радиаторах для них необходимости нет. Но если цены на бюджетные «планки» по 4 Гбайта давно стабилизировались и находятся на уровне 600-700 рублей за модуль, то разброс цен на память объемом 8 Гбайт все еще достаточно большой – от 1500 до 2800 рублей за модуль. Причем по минимальной цене можно купить только то, что совершенно не подходит для разгона.

Читайте также:  Behringer xenyx 502 инструкция

Модули памяти объемом 8 Гбайт остаются специфическим товаром и пока далеки от того, чтобы стать массовыми, но, несмотря на это, среди них уже есть «из чего выбирать и что разогнать». Если ваши потребности в объеме оперативной памяти все еще можно обеспечить при помощи четырех модулей объемом 4 Гбайта каждый, то на данный момент такой вариант будет выгоднее, чем два модуля по 8 Гбайт. В будущем, скорее всего, снижение цен на память с высокой плотностью продолжится, а разрыв цен между микросхемами Samsung и Elpida сократится. Но пока можно выбрать только два параметра из трех: объем, цена, разгонный потенциал.

реклама

Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Запаянная упаковка не позволяет проверить память на совместимость и разгон, не повреждая товарный вид. Высока вероятность того, что память вскроют еще до продажи, чтобы проставить на модули наклейки с серийными номерами.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только с CAS Latency 11.

NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только после повышения напряжения до 1.75 В.

Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Невысокая цена, лишь немногим выше, чем у памяти на микросхемах Elpida ревизии B (Silicon Power, NCP и прочие).
[+] Микросхемы Micron с плотностью 4 Гбит по разгону хоть и не могут сравниться с Samsung, но все же лучше всех разновидностей Elpida.

GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2×8192 Мбайта

[+] Наличие профиля XMP.
[+] Необычный внешний вид модулей и светодиодная подсветка.
[+] Наличие упаковки.
[+] Использование восьмислойной печатной платы Brainpower.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. Может работать на частоте чуть выше 1600 МГц даже с пониженным до 1.35 В напряжением, но уровень Micron (и тем более Samsung) недостижим.

реклама

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[-] Высокая цена из-за использования дорогих микросхем Elpida ревизии A («A-Die»).
[-] Плохой разгон. Неспособность работать даже на частоте 1600 МГц.

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Лучший разгон среди всей протестированной памяти объемом 8 Гбайт, вполне сравнимый с уровнем разгона модулей 4 Гбайт. Может работать как на высоких частотах (до 2400 МГц), так и на низких таймингах (6-7-7-15 1T при номинальной частоте 1333 МГц).
[-] Самый дорогой вариант памяти объемом 8 Гбайт с номиналом 1333 МГц. Но все равно дешевле оверклокерских комплектов, рассчитанных на работу с частотами от 1866 МГц и выше.

С точки зрения разгонного потенциала все протестированные модули (да и вообще всю память с объемом, равным восьми гигабайтам) можно разделить на три типа, в зависимости от производителя микросхем:

  • Elpida. Не способны работать на частотах выше 1600 МГц, да и эту частоту берут далеко не все экземпляры. Модули памяти, основанные на четырехгигабитных микросхемах Elpida ревизии A (J4208BASE, J4208EASE и прочие) отличаются высокой ценой и вероятно скоро исчезнут из продажи. Микросхемы Elpida ревизии B (J4208BBBG и другие), наоборот, используются в самых дешевых (с номиналом 1333 и 1600 МГц) модулях объемом 8 гигабайт многими производителями (A-DATA, Corsair, Mushkin и другие), и со временем их ассортимент будет только больше. Выбор тех, кого не волнует разгон памяти, главное, чтобы она работала и стоила как можно меньше.
  • Micron. Память среднего уровня, способная достигать частот 1866-2000 (2133 МГц), в зависимости от удачности и типа использованных микросхем (D9PCH, D9PBC, D9NZZ). Помимо продукции Crucial их можно встретить и в основе других бюджетных модулей, например, Patriot Memory. Есть вероятность найти Micron в комплектах Corsair и G.Skill с номиналом 1866 МГц, поскольку Elpida для них уже не подходит по частотному потенциалу, а Samsung разумнее использовать только в самых дорогих и быстрых комплектах. По цене Micron немного дороже, чем Elpida ревизии B, но существенно дешевле, чем Samsung. Выбор экономных оверклокеров, которым не трудно переплатить сотню-две рублей за каждый модуль, чтобы получить хоть какой-то разгон, но не готовых платить двойную цену за Samsung или ждать пока цены на 8 Гбайт модули окончательно стабилизируются и сравняются (как это уже давно произошло с ценами на память объемом 4 Гбайта).
  • Samsung. На данный момент это лучшая для разгона память с плотностью 4 гигабита, но она же и самая дорогая. Микросхемы Samsung способны работать на частотах, значительно превышающих 2 ГГц. Встретить можно либо в виде оригинальных модулей Samsung, либо в топовых «оверклокерских» комплектах (например, производства G.Skill или GeIL), рассчитанных на номинальные частоты от 2133 МГц и выше. Эта память для тех, кто хочет получить не только большой объем, но и высокие частоты. Комплекты памяти объемом 64 Гбайта (8×8192 Мбайта), работающие на частотах 2133-2400 МГц, обойдутся вам в $800-950, не считая пересылки в Россию. Отдельные модули Samsung Original уже можно купить в России, и они немного дешевле «оверклокерских» комплектов, но даже их не каждый энтузиаст может себе позволить.

Неясными остаются только возможности 4 Гбит микросхем Nanya (Elixir) и Hynix . Найти в продаже модули памяти на их основе пока не удалось. Но если учесть, что после увеличения плотности микросхем от 2 до 4 Гбит расстановка сил между Elpida, Micron и Samsung в целом осталась прежней, то можно предположить, что от Nanya (Elixir) ничего особенного ждать не стоит, а Hynix снова может составить конкуренцию Samsung. Но это уже тема для отдельного исследования.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock detector